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本产品不涉及投顾咨询或投资顾问服务，所展示的信息不构成投资建议，信息仅供参考，历史数据不代表未来收益。
任何指标、策略或模型均存在局限性，请投资者根据不同的行情合理运用。数据力求准确但不保证，历史数据不代表未来收益。投资有风险，入市须谨慎。
报告期： 2024-12-31（发布日期：2025-01-23）
类型：预增
内容：扣除非经常性损益后的净利润变动212.39%至280.31%
原因： 预计2024-01-01至2024-12-31归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润为18400万元至22400万元;与上年同期相比变动12510万元至16510万元;同比变动212.39%至280.31%。上年同期归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润金额为5889.92万元。 业绩预告原因说明: （一）报告期内，面对市场竞争加剧的压力，公司通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，加快产品结构调整的步伐。在电源管理芯片、IGBT器件、IPM智能功率模块、PIM功率模块、碳化硅MOSFET器件、超结MOSFET器件、MEMS传感器、MCU电路、SOC电路、快恢复管、TVS管、稳压管等产品出货量增长的带动下，公司总体营收保持了较快的增长势头。 （二）报告期内，公司子公司士兰集成5、6吋芯片生产线、子公司士兰集昕8吋芯片生产线、重要参股企业士兰集科12吋芯片生产线均实现满负荷生产。公司已安排技改资金进一步提升8吋线MEMS芯片产能、12吋线IGBT芯片和模拟电路芯片产能。公司预计2025年5、6、8、12吋芯片生产线将继续保持较高的产出水平。 报告期内，公司子公司成都士兰、成都集佳功率模块和功率器件封装生产线实现了满负荷生产，公司根据市场需求已安排了多轮产能扩充项目。 报告期内，公司加快子公司士兰明镓6吋SiC芯片生产线产能建设，目前士兰明镓已具备月产0.9万片SiCMOSFET芯片的生产能力。公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面栅SiCMOSFET芯片的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司Ⅱ代SiCMOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已实现向下游汽车用户批量供货；基于公司Ⅳ代SiCMOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已在客户端验证，预计2025年实现批量供货。 报告期内，公司在厦门加快建设一条以SiCMOSFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，项目一期投资规模70亿元，规划产能3.5万片/月，预计2025年年底实现初步通线。 报告期内，公司完成了杭州、厦门两地LED芯片生产线的整合。整合后的LED芯片生产线的生产能力已达到14-15万片/月。公司通过对LED芯片生产线技术改造，较大提升了mini-LED芯片的生产能力。 （三）报告期内，公司在积极扩大芯片生产线和封装生产线产出能力的同时，持续开展了各主要环节成本费用控制、管理效率提升等活动，目前已取得了积极成效。四季度，公司产品综合毛利率较三季度已有所回升。随着上述活动的持续深入进行，预计2025年公司产品综合毛利率水平将进一步改善。 （四）经过二十多年的发展，公司已成为目前国内领先的IDM公司。作为IDM公司，公司带有资产相对偏重的特征，在外部经济周期变化的压力下，也会在一定程度上承受经营利润波动的压力。但是相较于轻资产型的Fabless设计公司，公司在特色工艺和产品的研发上具有更突出的竞争优势：实现了特色工艺技术与产品研发的紧密互动，以及集成电路、功率器件、功率模块、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体芯片的协同发展；公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合实力，加快提升产品品质、加强控制成本，向客户提供高质量、高性价比的产品与服务，可满足下游整机（整车）用户多样化需求，具有较强的市场竞争能力。2024年全年，公司电路和器件成品的销售收入中，已有超过75%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。当前，在国家政策持续支持，以及下游电动汽车、新能源、算力和通讯等行业快速发展、芯片国产替代进程明显加快的大背景下，士兰微电子迎来了较快发展的新阶段。士兰微电子将持续推动满足车规级和工业级要求的器件和电路在各生产线上量，持续推动士兰微整体营收的较快成长和经营效益的提升。
注：年度后标E表示为预测业绩，预测市盈率当前股价与机构盈利预测业绩之比。
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